Wybieramy z menu głównego Options->MOS Length dla zmiany długości kanału, zaś dla zmiany szerokości kanału Options->MOS Width, po czym z klawiatury wprowadzamy nową wartość.
Wraz ze wzrostem długości kanału wzrasta obszar liniowy na charakterystykach wyjściowych ( tranzystor później wchodzi w obszar nasycenia ), zaś wzrost szerokości kanału wywołuje zwiększenie maksymalnego prądu drenu płynącego przez tranzystor. Prąd drenu jest więc proporcjonalny do szerokości i odwrotnie proporcjonalny do długości kanału - Ids ~ W/L.
Rys. 1. Wpływ zmiany długości kanału na charakterystykę wyjściową tranzystora NMOS.
Rys. 2. Wpływ zmiany szerokości kanału na charakterystykę wyjściową tranzystora NMOS.
